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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF540NPBF
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IRF540NPBF

产品描述漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W 类型：N沟道 N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小153KB，共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF540NPBF在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IRF540NPBF概述

漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W 类型：N沟道 N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

IRF540NPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
其他特性HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）185 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)33 A
最大漏极电流 (ID)33 A
最大漏源导通电阻0.044 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）250
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)110 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF540NPBF相似产品对比

IRF540NPBF
描述 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W 类型：N沟道 N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
是否Rohs认证 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 15 weeks
其他特性 HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas） 185 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 33 A
最大漏极电流 (ID) 33 A
最大漏源导通电阻 0.044 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
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工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 250
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 110 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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