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IDM10G120C5XTMA1

产品描述直流反向耐压(Vr):1.2kV 平均整流电流(Io):38A 正向压降(Vf):1.8V @ 10A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小908KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IDM10G120C5XTMA1在线购买

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IDM10G120C5XTMA1概述

直流反向耐压(Vr):1.2kV 平均整流电流(Io):38A 正向压降(Vf):1.8V @ 10A

IDM10G120C5XTMA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
其他特性PD-CASE
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON CARBIDE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流84 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散223 W
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流62 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

 
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