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BSC160N15NS5

产品描述漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):56A(Tc) 栅源极阈值电压:4.6V @ 60uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 28A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小989KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSC160N15NS5在线购买

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BSC160N15NS5概述

漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):56A(Tc) 栅源极阈值电压:4.6V @ 60uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 28A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:N沟道

BSC160N15NS5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)43 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (ID)56 A
最大漏源导通电阻0.016 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)224 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
哪里错了?同样的代码,结果却不一样!
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