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IHW20N120R3

产品描述集电极电流(Ic)(最大值):40A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:沟道 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 15V,20A 栅极阈值电压-VGE(th):6.4V @ 500uA IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共15页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IHW20N120R3概述

集电极电流(Ic)(最大值):40A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:沟道 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 15V,20A 栅极阈值电压-VGE(th):6.4V @ 500uA IGBT 1200V 40A 310W TO247-3

IHW20N120R3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-247
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值6.4 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)310 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)538 ns

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ResonantSwitchingSeries
ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode
IHW20N120R3
Datasheet
IndustrialPowerControl

 
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