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SPD15P10PLG

产品描述漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 栅源极阈值电压:2V @ 1.54mA 漏源导通电阻:200mΩ @ 11.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):128W 类型:P沟道 P沟道,100V,15A,200mΩ@10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小757KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SPD15P10PLG概述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 栅源极阈值电压:2V @ 1.54mA 漏源导通电阻:200mΩ @ 11.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):128W 类型:P沟道 P沟道,100V,15A,200mΩ@10V

SPD15P10PLG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)230 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)128 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)60 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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