漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,43A,0.042mΩ@10V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | IRF3415STRLPBF N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 590 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 43 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.042 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRF3415STRLPBF | IRF3415SPBF | SP001553944 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,43A,0.042mΩ@10V | 漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,43A,0.042mΩ@10V | Power Field-Effect Transistor, |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | compliant |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 590 mJ | 590 mJ | - |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 150 V | 150 V | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 43 A | 43 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.042 Ω | 0.042 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 2 | 2 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A | 150 A | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
