漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 100uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,63A,14mΩ@10V
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | LEAD FREE, I-PAK, 3 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 15 weeks |
雪崩能效等级(Eas) | 140 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 63 A |
最大漏极电流 (ID) | 63 A |
最大漏源导通电阻 | 0.014 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-251AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 140 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 250 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IRLU3110ZPBF | IRLU3110Z | IRLR3110Z | |
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描述 | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 100uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,63A,14mΩ@10V |
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