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IPP100N08N3GXKSA1

产品描述漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 46uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,80V,70A,10mΩ@10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1017KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPP100N08N3GXKSA1在线购买

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IPP100N08N3GXKSA1概述

漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 46uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,80V,70A,10mΩ@10V

IPP100N08N3GXKSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time29 weeks
雪崩能效等级(Eas)90 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (ID)70 A
最大漏源导通电阻0.01 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)280 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IPP100N08N3GXKSA1相似产品对比

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描述 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 46uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,80V,70A,10mΩ@10V mosFET N-kanal power mos
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