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IRF100S201: 产品描述漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：192A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 115A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：441W(Tc) 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小615KB，共13页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：192A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 115A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：441W(Tc) 类型：N沟道

	IRF100S201	IRF100B201
描述	漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：192A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 115A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：441W(Tc) 类型：N沟道	漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：192A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 115A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：441W 类型：N沟道 N沟道,100V,192A,4.2mΩ@10V
漏源电压（Vdss）	100V	100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	192A(Tc)	192A
栅源极阈值电压	4V @ 250uA	4V @ 250uA
漏源导通电阻	4.2mΩ @ 115A,10V	4.2mΩ @ 115A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	441W(Tc)	441W
类型	N沟道	N沟道

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY