BSZ100N06LS3 G,BSZ100N06LS3 G pdf中文资料,BSZ100N06LS3 G引脚图,BSZ100N06LS3 G电路-Datasheet-电子工程世界

BSZ100N06LS3 G: 产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 栅源极阈值电压：2.2V @ 23uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,60V,11A,10mΩ@10V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小465KB，共9页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

BSZ100N06LS3 G概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 栅源极阈值电压：2.2V @ 23uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,60V,11A,10mΩ@10V

	BSZ100N06LS3 G	BSZ100N06LS3GXT
描述	漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 栅源极阈值电压：2.2V @ 23uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,60V,11A,10mΩ@10V	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190