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IRF7304TRPBF

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 栅源极阈值电压:700mV @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 2.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小230KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF7304TRPBF在线购买

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IRF7304TRPBF概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 栅源极阈值电压:700mV @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 2.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道

IRF7304TRPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time15 weeks
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)3.6 A
最大漏源导通电阻0.09 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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