漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 栅源极阈值电压：2.8V @ 50uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 100 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 23 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0028 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 400 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| BSC028N06NS | BSC028N06NSATMA1 | |
|---|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 栅源极阈值电压：2.8V @ 50uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 栅源极阈值电压：2.8V @ 50uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 100 mJ | 100 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 23 A | 23 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0028 Ω | 0.0028 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 5 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 400 A | 400 A |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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