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BC848AW-7-F

产品描述额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=30V,Ic=100mA
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小187KB,共6页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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BC848AW-7-F在线购买

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BC848AW-7-F概述

额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=30V,Ic=100mA

BC848AW-7-F规格参数

参数名称属性值
额定功率200mW
集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce30V
晶体管类型NPN

BC848AW-7-F相似产品对比

BC848AW-7-F BC847BW-7-F BC847CW-7-F BC848CW-7-F
描述 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=30V,Ic=100mA 晶体管类型:NPN 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:45V 额定功率:200mW NPN 45V 100mA 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管类型:NPN
额定功率 200mW 200mW 200mW -
集电极电流Ic 100mA 100mA 100mA -
集射极击穿电压Vce 30V 45V 45V -
晶体管类型 NPN NPN NPN -

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