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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> ZVP4525E6TA

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ZVP4525E6TA: 产品描述漏源电压（Vdss）：250V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：197mA 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：14Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：P沟道 P沟道,-250V,-197mA,14Ω@-10V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小298KB，共7页; 制造商Diodes; 官网地址http://www.diodes.com/

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ZVP4525E6TA在线购买

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ZVP4525E6TA概述

漏源电压（Vdss）：250V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：197mA 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：14Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：P沟道 P沟道,-250V,-197mA,14Ω@-10V

ZVP4525E6TA规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	250V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	197mA
栅源极阈值电压	2V @ 1mA
漏源导通电阻	14Ω @ 200mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.1W
类型	P沟道

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