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ZXMP6A17DN8TA

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.7A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:125mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.81W 类型:双P沟道 双P沟道,-60V,-3.4A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小456KB,共8页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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ZXMP6A17DN8TA概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.7A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:125mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.81W 类型:双P沟道 双P沟道,-60V,-3.4A

ZXMP6A17DN8TA规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.7A
栅源极阈值电压1V @ 250uA(最小)
漏源导通电阻125mΩ @ 2.3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.81W
类型双P沟道

 
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