DMN1002UCA6-7,DMN1002UCA6-7 pdf中文资料,DMN1002UCA6-7引脚图,DMN1002UCA6-7电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> DMN1002UCA6-7

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DMN1002UCA6-7: 产品描述漏源电压（Vdss）：- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：双N沟道(共漏) N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小408KB，共7页; 制造商Diodes; 官网地址http://www.diodes.com/

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DMN1002UCA6-7概述

漏源电压（Vdss）：- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：双N沟道(共漏) N沟道

DMN1002UCA6-7规格参数

参数名称	属性值
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.1W
类型	双N沟道(共漏)

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