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2N7002T-7-F

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 N沟道 60V 0.115A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小102KB,共5页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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2N7002T-7-F在线购买

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2N7002T-7-F概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 N沟道 60V 0.115A

2N7002T-7-F规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻7.5Ω @ 50mA,5V
最大功率耗散(Ta=25°C)150mW
类型N沟道
12864无显示
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