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ZTX651

产品描述额定功率:1W 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:60V 晶体管类型:NPN
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小82KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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ZTX651概述

额定功率:1W 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:60V 晶体管类型:NPN

ZTX651规格参数

参数名称属性值
额定功率1W
集电极电流Ic2A
集射极击穿电压Vce60V
晶体管类型NPN

ZTX651相似产品对比

ZTX651 ZTX651STOB ZTX651STZ
描述 额定功率:1W 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:60V 晶体管类型:NPN transistor npn med pwr E-line 额定功率:1W 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:60V 晶体管类型:NPN NPN,60V,2A
额定功率 1W - 1W
集电极电流Ic 2A - 2A
集射极击穿电压Vce 60V - 60V
晶体管类型 NPN - NPN
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