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DMN2005K-7

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:900mV @ 100uA 漏源导通电阻:1.7Ω @ 200mA,2.7V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小378KB,共5页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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DMN2005K-7在线购买

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DMN2005K-7概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:900mV @ 100uA 漏源导通电阻:1.7Ω @ 200mA,2.7V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

DMN2005K-7规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA
栅源极阈值电压900mV @ 100uA
漏源导通电阻1.7Ω @ 200mA,2.7V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型N沟道
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