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DMP3099L-13

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.8A 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.08W 类型:P沟道 P沟道-30V -3.8A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小231KB,共6页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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DMP3099L-13概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.8A 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.08W 类型:P沟道 P沟道-30V -3.8A

DMP3099L-13规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.8A
栅源极阈值电压2.1V @ 250uA
漏源导通电阻65mΩ @ 3.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.08W
类型P沟道

DMP3099L-13相似产品对比

DMP3099L-13 DMP3099L-7
描述 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.8A 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.08W 类型:P沟道 P沟道-30V -3.8A 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.8A 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.08W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-3.8A,65mΩ@-10V
漏源电压(Vdss) 30V 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3.8A 3.8A
栅源极阈值电压 2.1V @ 250uA 2.1V @ 250uA
漏源导通电阻 65mΩ @ 3.8A,10V 65mΩ @ 3.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1.08W 1.08W
类型 P沟道 P沟道

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