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AON6576

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:4.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:N沟道 N-CH
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小300KB,共6页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
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AON6576概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:4.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:N沟道 N-CH

AON6576规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)32A(Tc)
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
漏源导通电阻4.7mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)5W
类型N沟道
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