漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
参数名称 | 属性值 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 6A,5A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 30mΩ @ 6A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W |
类型 | N沟道和P沟道 |
AO4614B | AO4614BL | |
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描述 | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 N+P双MOS管,40V/6A加-40V/-5A,24毫欧低阻款。 |
漏源电压(Vdss) | 40V | 40V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 6A,5A | 6A,5A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 3V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 30mΩ @ 6A,10V | 30mΩ @ 6A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W | 2W |
类型 | N沟道和P沟道 | N沟道和P沟道 |
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