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AO4614B

产品描述漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小230KB,共7页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
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AO4614B概述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道

AO4614B规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A,5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻30mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型N沟道和P沟道

AO4614B相似产品对比

AO4614B AO4614BL
描述 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 N+P双MOS管,40V/6A加-40V/-5A,24毫欧低阻款。
漏源电压(Vdss) 40V 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 6A,5A 6A,5A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA 3V @ 250uA
漏源导通电阻 30mΩ @ 6A,10V 30mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2W 2W
类型 N沟道和P沟道 N沟道和P沟道

 
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