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AO4404B

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N沟 30V 8.5A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小558KB,共6页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
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AO4404B概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N沟 30V 8.5A

AO4404B规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8.5A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻24mΩ @ 8.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W
类型N沟道

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描述 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N沟 30V 8.5A
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 8.5A
栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻 24mΩ @ 8.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 3.1W
类型 N沟道

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