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AON7409

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A(Tc) 栅源极阈值电压:2.7V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-32A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小323KB,共6页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
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AON7409概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A(Tc) 栅源极阈值电压:2.7V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-32A

AON7409规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)32A(Tc)
栅源极阈值电压2.7V @ 250uA
漏源导通电阻8.5mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)96W(Tc)
类型P沟道
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