电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

AO4264E

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.5A 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 13.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N沟道 60V 13.5A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小389KB,共5页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
下载文档 详细参数 全文预览

AO4264E概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.5A 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 13.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N沟道 60V 13.5A

AO4264E规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)13.5A
栅源极阈值电压2.4V @ 250uA
漏源导通电阻9.8mΩ @ 13.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W
类型N沟道

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 446  465  599  1052  1432 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved