参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Analog Devices Inc |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.19 |
针数 | 8 |
制造商包装代码 | RM-8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
模拟集成电路 - 其他类型 | SPDT |
JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 3 mm |
湿度敏感等级 | 1 |
负电源电压最大值(Vsup) | -16.5 V |
负电源电压最小值(Vsup) | -13.5 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
信道数量 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
标称断态隔离度 | 80 dB |
最大通态电阻 (Ron) | 35 Ω |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.19 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 5,12/+-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.09 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 16.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 13.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | YES |
最长断开时间 | 160 ns |
最长接通时间 | 160 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 3 mm |
Base Number Matches | 1 |
ADG419BRMZ | ADG419BNZ | ADG419BRMZ-REEL7 | ADG419BRZ-REEL7 | ADG419BRMZ-REEL | |
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描述 | Analog Switch Single SPDT 8-Pin PDIP N Tube | IC ANALOG SWITCH SPDT 8MSOP | 编带 | ||
Brand Name | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | SOIC | DIP | SOIC | SOIC | SOIC |
包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.19 | DIP, DIP8,.3 | TSSOP, TSSOP8,.19 | SOP, SOP8,.25 | TSSOP, TSSOP8,.19 |
针数 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
制造商包装代码 | RM-8 | N-8 | RM-8 | R-8 | RM-8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
模拟集成电路 - 其他类型 | SPDT | SPDT | SPDT | SPDT | SPDT |
JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 | S-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | S-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 |
长度 | 3 mm | 9.88 mm | 3 mm | 4.9 mm | 3 mm |
负电源电压最大值(Vsup) | -16.5 V | -16.5 V | -16.5 V | -16.5 V | -16.5 V |
负电源电压最小值(Vsup) | -13.5 V | -13.5 V | -13.5 V | -13.5 V | -13.5 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
信道数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
标称断态隔离度 | 80 dB | 80 dB | 80 dB | 80 dB | 80 dB |
最大通态电阻 (Ron) | 35 Ω | 35 Ω | 35 Ω | 35 Ω | 35 Ω |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP | DIP | TSSOP | SOP | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.19 | DIP8,.3 | TSSOP8,.19 | SOP8,.25 | TSSOP8,.19 |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | IN-LINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT APPLICABLE | 260 | 260 | 260 |
电源 | 5,12/+-15 V | 5,12/+-15 V | 5,12/+-15 V | 5,12/+-15 V | 5,12/+-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.09 mm | 5.33 mm | 1.09 mm | 1.75 mm | 1.09 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 16.5 V | 16.5 V | 16.5 V | 16.5 V | 16.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 13.5 V | 13.5 V | 13.5 V | 13.5 V | 13.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
表面贴装 | YES | NO | YES | YES | YES |
最长断开时间 | 160 ns | 160 ns | 160 ns | 160 ns | 160 ns |
最长接通时间 | 160 ns | 160 ns | 160 ns | 160 ns | 160 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 2.54 mm | 0.65 mm | 1.27 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT APPLICABLE | 30 | 30 | 30 |
宽度 | 3 mm | 7.62 mm | 3 mm | 3.9 mm | 3 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
厂商名称 | - | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
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