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RM25C64C-LSNI-B

产品描述存储器接口类型:SPI 存储器容量:64Kb (32B Page Size) 工作电压:1.65V ~ 3.6V 存储器类型:Non-Volatile SPI 串行 10MHz 64Kbit CBRAM
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文件大小2MB,共32页
制造商Adesto Technologies
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RM25C64C-LSNI-B在线购买

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RM25C64C-LSNI-B概述

存储器接口类型:SPI 存储器容量:64Kb (32B Page Size) 工作电压:1.65V ~ 3.6V 存储器类型:Non-Volatile SPI 串行 10MHz 64Kbit CBRAM

RM25C64C-LSNI-B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Adesto Technologies
包装说明SOP,
Reach Compliance Codeunknown
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度4.925 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度1
功能数量1
端子数量8
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型SPI
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度3.9 mm
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