存储器构架(格式)：FLASH 存储器接口类型：SPI 存储器容量：2Mb (264 Bytes x 1024 pages) 存储器类型：Non-Volatile 2-Mbit(256K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Adesto Technologies |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 13 weeks |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 70 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 4.925 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 1 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.8/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000008 A |
| 最大压摆率 | 0.016 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| AT45DB021E-SSHN-T | AT45DB021E-SHN-T | |
|---|---|---|
| 描述 | 存储器构架(格式)：FLASH 存储器接口类型：SPI 存储器容量：2Mb (264 Bytes x 1024 pages) 存储器类型：Non-Volatile 2-Mbit(256K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V | 存储器构架(格式)：FLASH 存储器接口类型：SPI 存储器容量：2Mb (264 Bytes x 1024 pages) 存储器类型：Non-Volatile 2-Mbit(256K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Adesto Technologies | Adesto Technologies |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 | SOP, |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| Factory Lead Time | 13 weeks | 13 weeks |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 70 MHz | 70 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 4.925 mm | 5.29 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 1 | 1 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 2MX1 | 2MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 编程电压 | 2.7 V | 2.7 V |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 2.16 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 宽度 | 3.9 mm | 5.24 mm |
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