Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> SE150180GTS

SE150180GTS: 产品描述漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：164A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：520W 类型：N沟道 N沟道 150V 164A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小339KB，共6页; 制造商光宇睿芯(SINO-IC); 官网地址http://www.sino-ic.net; 上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

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SE150180GTS概述

漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：164A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：520W 类型：N沟道 N沟道 150V 164A

SE150180GTS规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	150V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	164A
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	5.7mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	520W
类型	N沟道

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SE150180GTS

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Revision: A

General Description

Advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON), low gate charge and

low operation voltage. This device is

suitable for using as a load switch or in

PWM applications.



Simple Drive Requirement



Small Package Outline

Surface Mount Device



Pin configurations

See Diagram below

Features

For a single MOSFET



= 150V

DS(ON)

= 4.8mΩ @ V

=10V

TO-247S

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

Continuous

Pulsed

Symbol

Rating

150

±20

164

550

3400

520

-55 to 175

Units

℃

Single pulse avalanche energy

Total Power Dissipation

@TA=25℃

Operating Junction Temperature Range

ShangHai Sino-IC Microelectronic Co., Ltd.

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