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SEBT3904U

产品描述额定功率:250mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN NPN
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小119KB,共5页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SEBT3904U概述

额定功率:250mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN NPN

SEBT3904U规格参数

参数名称属性值
额定功率250mW
集电极电流Ic200mA
集射极击穿电压Vce40V
晶体管类型NPN

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SHANGHAI
MICROELECTRONCS CO., LTD.
June 2006
SEBT3904U
NPN switching transistor
Features
Low current (max. 100 mA).
Low voltage (max. 40 V).
Applications
Telephony and professional communication
equipment.
DESCRIPTION
NPN switching transistor in a SOT323 plastic
package
PNP complement: SEBT3906U.
Absolute maximum ratings (Ta=25℃)
Parameter
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current DC
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
Parameter
collector cut-off current
emitter cut-off current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
CONDITIO
NS
open
emitter
open base
open
collector
MIN.
MAX.
60
40
6
200
200
100
250
+150
150
+150
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
Tamb £ 25
°C;
note 1
−65
−65
Electrical characteristics (Ta=25℃)
Symbol
I
CBO
I
EBO
CONDITIONS
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
C
= 0; V
EB
= 6 V
Min.
-
-
Max.
50
50
Unit
nA
nA
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