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IRF831

产品描述4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小143KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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IRF831概述

4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3

4.5 A, 20 V, 1.8 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-3

IRF831规格参数

参数名称属性值
端子数量2
最小击穿电压20 V
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸凸缘安装
端子形式PIN/PEG
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置BOTTOM
包装材料金属
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流4.5 A
额定雪崩能量1.1 mJ
最大漏极导通电阻1.8 ohm
最大漏电流脉冲18 A
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