Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> SE8831A

SE8831A: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.1A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：19.5mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：双N沟道 N沟道,20V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小395KB，共6页; 制造商光宇睿芯(SINO-IC); 官网地址http://www.sino-ic.net; 上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

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SE8831A概述

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.1A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：19.5mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：双N沟道 N沟道,20V

SE8831A规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	6.1A
栅源极阈值电压	1V @ 250uA
漏源导通电阻	19.5mΩ @ 6.3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）	700mW
类型	双N沟道

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Jul 2014

SE8831A

Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Revision: A

General Description

Thigh Density Cell Design For Ultra Low

On-Resistance Fully Characterized Avalanche

Voltage and Current Improved Shoot-Through

FOM



Simple Drive Requirement

Small Package Outline

Surface Mount Device

Features

For a single MOSFET



= 20V

DS(ON)

= 15.5mΩ @ V

=4.5V

Pin configurations

See Diagram below

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

Total Power Dissipation

Continuous

Pulsed

@TA=25℃

Symbol

Rating

±10

6.1

0.7

-55 to 175

Units

℃

Operating Junction Temperature Range

ShangHai Sino-IC Microelectronic Co., Ltd.

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