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BAT46W

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):500mA 正向压降(Vf):850mV @ 1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小249KB,共3页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
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BAT46W概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):500mA 正向压降(Vf):850mV @ 1A

BAT46W规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)500mA
正向压降(Vf)850mV @ 1A

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BAT46W
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Reverse Voltage - 10 0 V Forward Curren
t - 0.5 A
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
FEATURES
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• For surface mounted applications
• Low power loss, high efficiency
• High forward surge current capability
• For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-123FL
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight:15mg 0.00048oz
Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics
1
2
Simplified outline SOD-123FL and symbol
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load,
for capacitive load, derate by 20 %
Parameter
Symbols
BAT46W
Units
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
100
70
100
0.5
V
V
V
A
Maximum RMS voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current,8.3ms
Single Half Sine-wave Superimposed
on Rated Load (JEDEC method)
I
FSM
30
A
Max Instantaneous Forward Voltage at 1 A
V
F
0.85
0.2
5
80
115
-55 ~ +125
-55 ~ +150
V
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Reverse Voltage
T
a
= 25°C
T
a
=100°C
I
R
mA
Typical Junction Capacitance
1)
C
j
R
θJA
T
j
T
stg
pF
°C/W
Typical Thermal Resistance
2)
Operating Junction Temperature Range
°C
°C
Storage Temperature Range
at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C.
2)
P.C.B. mounted with 0.2 X 0.2" (5 X 5 mm) copper pad areas.
1)
Measured
REV.07
1 of 3
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