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SS110G

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A 100V,1A,VF=0.85V@1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小1MB,共3页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
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SS110G概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A 100V,1A,VF=0.85V@1A

SS110G规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)850mV @ 1A

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SS12G THRU SS120G
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Reverse Voltage - 20 to 200 V Forward Current - 1.0A
Features
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• For surface mounted applications
• Low power loss, high efficiency
• High forward surge current capability
• For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
• Case: SMA
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 70mg / 0.0025oz
Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load,
for capacitive load, derate by 20 %
Parameter
Symbols
PINNING
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
1
2
Top View
Marking Code: SS12 ~ SS120
Simplified outline SMA and symbol
SS12G
SS14 G
SS16 G
SS18G
SS110 G SS112 G SS115 G SS120G
Units
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
V
RRM
V
RMS
V
DC
20
14
20
40
28
40
60
42
60
80
56
80
100
70
100
120
84
120
150
105
150
200
140
200
V
V
V
Maximum RMS voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
c
= 85
°C
Peak Forward Surge Current,8.3ms
Single Half Sine-wave Superimposed
on Rated Load (JEDEC method)
I
F(AV)
1.0
A
I
FSM
40
30
A
Max Instantaneous Forward Voltage at 1 A
V
F
0.55
0.3
10
110
0.70
0.2
5
0.85
0.90
0.1
2
V
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Reverse Voltage
T
a
= 25°C
T
a
=100°C
I
R
C
j
R
θJA
T
j
T
stg
mA
pF
°C/W
Typical Junction Capacitance
(1)
80
90
-55 ~ +125
-55 ~ +150
Typical Thermal Resistance
(2)
Operating Junction Temperature Range
°C
°C
Storage Temperature Range
(1)Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C.
(2)
P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas.
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