350 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
350 W, 双向, 2 组成, 硅, 瞬态抑制二极管
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ProTek Devices |
包装说明 | R-PDSO-G4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW CAPACITANCE |
最小击穿电压 | 13.3 V |
外壳连接 | ANODE |
最大钳位电压 | 28.6 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 350 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 270 |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 12 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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