Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> G80N03

G80N03: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N管,30V,80A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小1MB，共6页; 制造商谷峰(GOFORD); 官网地址http://www.goford.cn/; 深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR，于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核，提供高可靠性的产品；不断的技术研发创新，满足细分市场的需求和产品的性价比；全球布局的视野，不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌！

下载文档详细参数全文预览

G80N03概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N管,30V,80A

G80N03规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	80A(Tc)
栅源极阈值电压	3V @ 250uA
漏源导通电阻	6mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	60W(Tc)
类型	N沟道

G80N03文档预览

下载PDF文档

全文
预览

GOFORD

DESCRIPTION

The

80N03

uses

advanced

trench

technology

And

design provide

excellent (ON ith

RDS )

Low charge be

gate

It . used a

can

inwide

Vanety applications

80N03

80A

30V

DS(ON)

GENERAL

FEATURES

= V,

30 I

= A

= V

TO-252-2L top view

DS(ON)

<mΩ V

6 @

High

density design ultra Rdson

cell

for low

Fully

characterized

Avalanche

voltage current

and

Good

stabilty unifomity high

and

with E

Excellent ackage good dissipation

for

heat

Special rocess

technology high

for ESD

capability

Application

Power witching

application

Hard

Switched High

and Frequency

Circuits

Ordering

Information

PART

NUMBER BRAND

PACKAGE

TO-252-2L

80N03

OGFD

Uninterruptible

Power upply

www.goford.cn

TEL：0755-29961099

FAX

：0755-29961466

Page 1

推荐资源

用CW3524组成的系列化开关电源电路05

光电照明电路

我看到的TI最新文档，分享给坛友，可能这里大家学习讨论的内容，已经过时: 我前几天翻译的TI手册，看到这个TI用红字明示的原文和其翻译分享给大家！！！还是跟上TI的步伐学习吧Note: This section describes files which are no longer being maintained.We suggest y ......; 平湖秋月微控制器 MCU

帮忙寻找升降压DC/DC: 准备做电路需要一个升降压方案，DC9-32V输入，输出12V 5A，升降压芯片方案。国产方案更好。谁能介绍提供 ...; Knight97538 电源技术

* 请教高手: 用EVC开发一个打开HTML程序, 模拟器该怎么设置才能上网? **: 公司上网有个代理, 我PC本机的的IE要设置了一个代理服务器地址才能上网. 现在我怎么调试我的程序(用了 HTMLctrl嵌入网页), 让我的程序在模拟器下能访问网页呢?...; z229586 嵌入式系统

关于C51的语法: unsigned char txt={"aaaaa"}; char a="aaaaa"; char b="bbbbb"; 我想让txt的值为 aaaaabbbbb 请问该怎么写呢。还有我可以对a和b进行异或运算吗？...; aiwenwen 嵌入式系统

中美工程师薪酬比拼，你属于哪类？: 也是在嵌入式公社看到的话题，觉得很好玩，和EE的网友分享下： 24569 中国的薪资统计 24570 24571 电工分三等。分别是初级和资深电工的薪金水平。你是哪个类别呢？将向何处 ......; clark 嵌入式系统

匠人手记: 匠人手记系列部分文章...; huanyi414 单片机

台湾拓墣：中国内需市场引领下半年产业成长

拓墣产业研究所(TRI)指出，随着中国政府4兆元扩大内需政策激活，以及“家电下乡”、“以旧换新”、“节能产品惠民工程”、“十大产业振兴规划”等计划的推行，对今年2月前有失速之虞的中国经济发挥了振衰功能，整体效果在今年第一季末陆续出现。拓墣表示，自今年3月后，从出口金额、社会消费品零售额、城镇固定资产投资、制造业PMI指数来看已有逐渐回温迹象，而中国内需消费市场将是引领复苏的重要关...[详细]
Global Foundries突破22nm节点高K障碍

在于日本京都举行的2009年半导体技术国际会议（2009SymposiumonVLSITechnology）上，GlobalFoundries公司宣布发明了一项能够让高K金属栅极晶体管升级到22纳米及以上级节点的技术。GlobalFoundries公司首次展示了一种可缩减高K金属栅极晶体管上等效氧化层厚度的技术。通过此技术，该公司制造出了一种EOT为0.55nm的n-...[详细]
中国电阻市场处变不惊，片式电阻成主角

在人民币升值和全球经济危机的背景下，电阻器厂家要面对生产成本上升与产品价格下降的双重压力，近年来的激烈竞争也压缩了厂家的盈利空间。当世界经济环境动荡不安，市场需求预期会出现下滑，产品销售也将受到更深远的影响。尽管前景堪忧，但业内厂家依旧看好行业发展，因为全球消费电子、通信、汽车、计算机和军用产品对电阻器的需求不断增加，让他们拥有乐观的资本。目前，中国在世界电阻器产业处于领先地位，...[详细]
半导体封装技术向垂直化方向发展

3D半导体封装技术的发展，使我们日常使用的许多产品(诸如手机、个人娱乐设备和闪存驱动器等)的形态和功能得以实现。对那些依赖胰岛素泵和去纤颤器等可植入医疗设备的患者来说，这些3D封装技术对提升生命质量起着关键作用。越来越多的半导体产品采用垂直化发展的堆叠式裸片、层叠封装（PoP）或穿透硅通道（TSV）等封装技术，功能密度、重量和可配置性方面的优势只是3D封装技术广受青睐的部分原因。每种封装方...[详细]
英特尔IC封测外包续增释单量成长20%

英特尔(Intel)发布第2季财报表现优于预期，同时发布第3季展望不差，对封测厂外包持续增加，南桥芯片封测释出量将在第3季比上季成长20%，提振日月光和硅品第3季成长动能。然而市场传出晶圆代工第3季晶圆出货量可能与上季持平或小幅衰退，致使封测厂也持乐观谨慎态势，预期第3季营收可望比上季成长10%附近。英特尔因遭欧盟以垄断嫌疑处巨额罚款，盘后发布第2季财报，亏损3.98亿美元，但调...[详细]
三星电子率先量产40纳米DDR3 DRAM

7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2GbDDR3Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。据悉，继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3Dram之后，该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2GbDDR3Dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间，极大地提高了生...[详细]
预计：未来什么样的IC产品将走俏

经历此次金融危机之后,全球半导体业元气大伤。据iSuppli在2008年10月与2009年6月的两次不同时间点的预测相比较,工业几乎倒退了5年。即原先估计在2010年时产业规模达到3000亿美元,如今将修正到2014年左右。连张忠谋坦言未来半导体业的年均增长率为5%-6%。然而在新形势下,哪些IC类产品的前景仍看好？iSuppli作了最新预测;下面有两张2007to2013...[详细]
三星LG等电子企业签署协议合作开发半导体芯片

据国外媒体报道，韩国LG电子，三星电子以及SK电信等公司27日在首尔签署合作备忘录，LG电子与三星电子将合作开发对国外进口信赖性很强的数码电视机用半导体芯片，SK电信将与一些中小半导体设计公司合作开发智能手机用系统半导体。韩国知识经济部消息人士表示，韩国企业的合作将建立一个完整的半导体芯片生产流程，LG电子负责半导体芯片的设计，三星电子生产前者设计好的芯片。这也是两家公司首次在系...[详细]
芯片厂商角逐多核处理器双方再演“拉力赛”

在AMD5款六核皓龙新处理器推出不久之后，有消息称，英特尔有望在下个月开始针对服务器、台式机和笔记本电脑推出多款高性能Nehalem处理器。多核处理器市场的硝烟，已重新燃起。多核之战一触即发据悉，AMD新增的5款处理器中3款六核皓龙HE处理器，可以被应用于搭配4、6或8个处理器的服务器上。此外，带有HE后缀表示该六核处理器为低功耗处理器，可以更为紧凑地排列于服务器之内，...[详细]
设备厂与半导体、面板厂客户默契需建立

现金为王的观念是风暴下企业求生之道，冻结资本支出，递延设备订单，成了常态，不过也因为这一连串半导体、面板、PCB及太阳能等引发的设备冻结现象，终于使设备厂与上游客户关系失衡的问题，浮上台面，半导体高层认为，双方不应只是买卖关系，而应该是互相扶持的共生关系，建立协商默契，这样的思维才能让台湾在走向次世代科技发展，根基更稳固。一直以来，台湾设备业者处于较被动的姿态，在客户资金紧缩时，...[详细]
Cadence推出支持28nm工艺节点设计解决方案

Cadence公司今天宣布，Cadence®Encounter®数字实现系统(EncounterDigitalImplementationSystem)解决方案，包括设计收敛、低功耗、可制造性设计、混合信号与签收技术，以及系统级封装设计技术，已经融入台湾积体电路制造股份有限公司(以下简称台积电)设计参考流程10.0版中。Cadence公司的RTL-to-GDSII设计功能让设计人...[详细]
张忠谋称台积电将展开3年内首笔收购

据国外媒体报道，台积电CEO张忠谋近日表示，为了扭转长达10年的销售增幅放缓，该公司将在光电及LED(液晶)行业寻找收购目标。台积电目前正与多家公司接触，即将展开自2007年以来的首笔收购。张忠谋近日接受媒体采访时表示，公司将在太阳能及LED行业展开收购，但没有透露具体的收购目标或投资金额。他说道，“我们可以首先收购一家小公司，然后推动它的成长。”今年6月份张忠谋撤下蔡...[详细]
英飞凌近日宣布其增资计划有望全面完成

英飞凌科技股份公司近日宣布，阿波罗全球管理公司（ApolloGlobalManagementLLC）管理的基金将以2.15欧元的价格认购1400万股英飞凌为增资发行的新股，相当于增持大约1.3%的股权。在增资全面完成后，英飞凌的股本将增至21.73亿欧元。　　这使得以2.15欧元价格认购的英飞凌配售新股数量达到3.37亿股。除了阿波罗认购的股份之外，另外认购的股份大约为3.23亿...[详细]
奇梦达拟出售12英寸65纳米生产线

奇梦达的美国分公司近日宣布正式邀请顾问公司来帮助出售其位于美国弗吉尼亚州Sandston的12英寸生产线，并已得到破产法院的批准。顾问公司中包括有ATREG、EmeraldTechnology和高盛。顾问公司已经开始接触可能的卖主。该生产线具备65纳米工艺技术能力，月产能12英寸3.8万片。如果暂时找不到合适的卖主，顾问公司将很快启动另一个分拆销售方案，即将...[详细]
NAND厂商排名预测：三星稳居市占龙头

研究机构集邦科技(DRAMeXchange)针对NANDFlash产业发表最新研究报告指出，估计三星(Samsung)今年稳居全球市占率龙头，而海力士(Hynix)因为大幅减产，市占率恐将下滑至第五名。集邦科技指出，根据各NANDFlash供货商目前的制程技术、产能、营运状况分析，三星因为拥有较大产能和制程持续转往42nm及3xnm，预期今年市占率40%以上居冠，日本东芝(T...[详细]

小广播

热搜元器件