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G80N03

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道 N管,30V,80A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小1MB,共6页
制造商谷峰(GOFORD)
官网地址http://www.goford.cn/
深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR,于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核,提供高可靠性的产品;不断的技术研发创新,满足细分市场的需求和产品的性价比;全球布局的视野,不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌!
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G80N03概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道 N管,30V,80A

G80N03规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻6mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)60W(Tc)
类型N沟道
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