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RB706F-40

产品描述直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):30mA 正向压降(Vf):370mV @ 1mA 40V,30mA,VF=0.37V@1mA
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小1MB,共3页
制造商台湾安邦(AnBon)
官网地址http://www.formosagr.com/

安邦科技(AS)是全球领先的半导体行业SiC二极管、Si二极管、MOS芯片及封装制造商,其核心技术具有上下游一体化优势,专注于MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发和生产,产品涵盖汽车、工业和商业领域。

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RB706F-40概述

直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):30mA 正向压降(Vf):370mV @ 1mA 40V,30mA,VF=0.37V@1mA

RB706F-40规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)40V
平均整流电流(Io)30mA
正向压降(Vf)370mV @ 1mA

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RB706F-40
SCHOTTKY
BARRIER
DIODE
FEATURES
Small package
Low V
F
and low I
R
High reliability
SOT-323
MAKING: 3J·
1
3
2
Maximum Ratings @Ta=25℃
Parameter
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
P
D
R
θJA
T
j
T
stg
Limit
45
40
30
200
200
500
125
-55+150
Unit
V
V
mA
mA
mW
℃/W
Peak reverse voltage
DC reverse voltage
Mean rectifying current
Non-repetitive Peak Forward
Surge
Current@t=8.3ms
Power dissipation
Thermal Resistance from
Junction to Ambient
Junction temperature
Storage temperature
Electrical Ratings @Ta=25℃
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Symbol
V
F
I
R
C
T
2
Min
Typ
Max
0.37
1
Unit
V
Conditions
I
F
=1mA
V
R
=10V
V
R
=1V, f=1MHZ
μ
A
pF
Document ID
Issued Date
2008/02/10
Revised Date
2011/08/04
Revision
B
Page.
3
Page 1
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