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1N5822

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小34KB,共2页
制造商CDI-DIODE
官网地址http://www.cdi-diodes.com
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1N5822概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201

1N5822规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压40 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流150 A

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• 1N5822 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV AND JANS
PER MIL-PRF-19500/620
• 3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
• HERMETICALLY SEALED
• METALLURGICALLY BONDED
1N5822
and
DSB5820 thru DSB5822
and
DSB3A20 thru DSB3A40
MAXIMUM RATINGS
0.115/0.145
Operating Temperature: -65°C to +125°C
Storage Temperature: -65°C to +150°C
Average Rectified Forward Current: 3.0 AMP @ TL = +55°C, L = 3/8”
Derating: 43 mA / °C above TL = +55°C, L = 3/8”
2.92/3.68
0.130/0.195
3.30/4.95
0.900
22.86
0.036/0.042
0.91/1.07
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
CDI
TYPE
NUMBER
WORKING PEAK
REVERSE
VOLTAGE
VRWM
VOLTS
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE
VF @ 1.0 A
VOLTS
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
VF @ 3.0 A
VOLTS
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
VF @ 9.4A
VOLTS
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE CURRENT
AT RATED VOLTAGE
IR @ +25°C
mA
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
IR @ +100°C
mA
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed, “B” Body
per MIL-PRF-19500/620. D-5B
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC): 30
˚C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 3
˚C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING POSITION:
Any
DSB5820
DSB5821
DSB5822
J,JX,JV & JS
5822
DSB3A20
DSB3A30
DSB3A40
20
30
40
40
20
30
40
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com

 
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