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MJE371

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN
产品类别晶体管   
文件大小174KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MJE371概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

MJE371规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码SIP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)4 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz
Base Number Matches1
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