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1N5820

产品描述RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小44KB,共3页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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1N5820概述

RECTIFIER DIODE

1N5820规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
二极管类型RECTIFIER DIODE

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MCC
Features
Low Switching Noise
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Surge Current Capability
  

  
 
  !"#
$ %    !"#
1N5820
THRU
1N5822

3 Amp Schottky
Barrier Rectifier
20 - 40 Volts
DO-201AD
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 28
°C/W
Junction To Ambient
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
20V
30V
40V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
D
1N5820
1N5821
1N5822
---
---
---
14V
21V
28V
A
Cathode
Mark
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
3.0A
T
A
= 85°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
80A
8.3ms, half sine
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
.475V
I
FM
= 3.0A;
1N5820
V
F
.500V
1N5821
T
J
= 25°C*
.525V
1N5822
Maximum DC
2.0mA
Reverse Current At
I
R
T
J
= 25°C
20mA
Rated DC Blocking
T
J
= 100°C
Voltage
Typical Junction
C
J
200pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
D
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
---
---
.048
1.000
MM
MIN
---
---
1.20
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.370
.250
.052
---
MAX
9.50
6.40
1.30
---
NOTE
www.mccsemi.com

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1N5820 1N5821 1N5822
描述 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201
状态 ACTIVE - ACTIVE
二极管类型 RECTIFIER DIODE - 整流二极管
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