IRFR110: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA; 产品类别晶体管; 文件大小56KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRFR110概述

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IRFR110规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4.3 A
最大漏极电流 (ID)	4.3 A
最大漏源导通电阻	0.54 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	25 W
最大功率耗散 (Abs)	25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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	IRFR110	IRFR022	IRC832	IRFR222	IRFR9222	IRFR111	IRFR212	IRFR9111	IRFS1Z0
描述	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 5 PIN	Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,	Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA	Power Field-Effect Transistor, 0.82A I(D), 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow	unknow
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE WITH BUILT-IN CURRENT AND KELVIN SENSOR	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V	50 V	500 V	200 V	200 V	80 V	200 V	80 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4.3 A	14 A	4 A	3.8 A	2.8 A	4.4 A	2.1 A	3.2 A	0.82 A
最大漏极电流 (ID)	4.3 A	14 A	4 A	3.9 A	2.8 A	4.7 A	2.1 A	3.2 A	0.82 A
最大漏源导通电阻	0.54 Ω	0.12 Ω	2 Ω	1.2 Ω	2.4 Ω	0.54 Ω	2.4 Ω	1.2 Ω	2.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T5	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	5	2	2	2	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	P-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	P-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	25 W	42 W	74 W	42 W	42 W	25 W	25 W	25 W	3.6 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	NO	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T5	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
JEDEC-95代码	TO-252AA	TO-252AA	-	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA	TO-243AA
湿度敏感等级	1	1	-	-	1	1	1	1	-
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED	245	240	240	260	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	56 A	13 A	16 A	11 A	17 A	8.4 A	13 A	3.5 A

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