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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRG4BC20W-STRR
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IRG4BC20W-STRR

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小262KB，共9页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IRG4BC20W-STRR概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3

IRG4BC20W-STRR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)13 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最大降落时间（tf）96 ns
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)300 ns
标称接通时间 (ton)36 ns
Base Number Matches1

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PD - 95782A
IRG4BC20W-SPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
• Designed expressly for Switch-Mode Power
Supply and PFC (power factor correction)
applications
• Industry-benchmark switching losses improve
efficiency of all power supply topologies
• 50% reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Latest-generation IGBT design and construction offers
tighter parameters distribution, exceptional reliability
• Lead-Free
C
V
CES
= 600V
G
E
V
CE(on) typ.
= 2.16V
@V
GE
= 15V, I
C
= 6.5A
N-channel
Benefits
• Lower switching losses allow more cost-effective
operation than power MOSFETs up to 150kHz
("hard switched" mode)
• Of particular benefit to single-ended converters and
boost PFC topologies 150W and higher
• Low conduction losses and minimal minority-carrier
recombination make these an excellent option for
resonant mode switching as well (up to >>300kHz)
D
2
Pak
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current
‚
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
ƒ
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
600
13
6.5
52
52
± 20
200
60
24
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
Units
V
A
V
mJ
W
°C
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
Typ.
–––
0.5
–––
1.44
Max.
2.1
–––
40
–––
Units
°C/W
g (oz)
www.irf.com
1
01/25/10

IRG4BC20W-STRR相似产品对比

IRG4BC20W-STRR IRG4BC20W-S IRG4BC20W-STRRPBF IRG4BC20W-STRLPBF IRG4BC20W-STRL
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A) Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compli compliant compliant compliant
Is Samacsys N N N N N
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 13 A 13 A 13 A 13 A 13 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大降落时间（tf） 96 ns 96 ns 96 ns 96 ns 96 ns
门极发射器阈值电压最大值 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0 e3 e3 e0
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 225 225 260 260 225
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 60 W 60 W 60 W 60 W 60 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 300 ns 300 ns 300 ns 300 ns 300 ns
标称接通时间 (ton) 36 ns 36 ns 36 ns 36 ns 36 ns
Base Number Matches 1 1 1 1 1
是否无铅 含铅 - 不含铅 不含铅 含铅

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