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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5819
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1N5819

产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB，共2页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5819规格参数

参数名称属性值
厂商名称FORMOSA
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N5817L
THRU
1N5819L
1.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
20 to 40 Volts
CURRENT
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High current capability
* High reliability
* High surge current capability
* Epitaxial construction
1.0 Ampere
DO-41
.107(2.7)
.080(2.0)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 0.34 grams
.034(.9)
.028(.7)
DIA.
.205(5.2)
.166(4.2)
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=90 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance RqJA (Note 2)
Operating Temperature Range T
J
Storage Temperature Range T
STG
NOTES:
1N5817
20
14
20
1N5818
30
21
30
1.0
25
1N5819
40
28
40
UNITS
V
V
V
A
A
V
mA
mA
pF
C/W
C
C
0.37
0.40
1.0
10
110
80
-65 +125
-65 +150
0.40
Ta=100 C
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal Resistance Junction to Ambient Vertical PC Board Mounting 0.5"(12.7mm) Lead Length.

1N5819相似产品对比

1N5819 1N5817 1N5817L 1N5818
描述 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41 RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE 整流二极管 RECTIFIER DIODE
厂商名称 FORMOSA FORMOSA - FORMOSA
零件包装代码 DO-41 DO-41 - DO-41
包装说明 O-PALF-W2 PLASTIC PACKAGE-2 - O-PALF-W2
针数 2 2 - 2
Reach Compliance Code unknown unknown - unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS - LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
最大正向电压 (VF) 0.6 V 0.45 V - 0.55 V
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 - DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 - O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 25 A 25 A - 25 A
元件数量 1 1 - 1
端子数量 2 2 - 2
最高工作温度 125 °C 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C - -55 °C
最大输出电流 1 A 1 A - 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM - LONG FORM
最大重复峰值反向电压 40 V 20 V - 30 V
表面贴装 NO NO - NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL - AXIAL

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