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IXBH28N170

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别晶体管   
文件大小595KB,共5页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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IXBH28N170概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3

IXBH28N170规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)60 A
集电极-发射极最大电压1700 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)2260 ns
标称接通时间 (ton)71 ns
Base Number Matches1

IXBH28N170相似产品对比

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描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Littelfuse
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
Is Samacsys N
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 60 A
集电极-发射极最大电压 1700 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 2260 ns
标称接通时间 (ton) 71 ns
Base Number Matches 1

 
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