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1N5819

产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小66KB,共2页
制造商SURGE
官网地址http://www.surgecomponents.com/
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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5819规格参数

参数名称属性值
端子数量1
元件数量1
加工封装描述DIE-2
状态DISCONTINUED
包装形状SQUARE
包装尺寸UNCASED 芯片
表面贴装Yes
端子形式NO 铅
端子涂层锡 铅
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压45 V
最大平均正向电流1 A

1N5819相似产品对比

1N5819 1N5817 1N5818
描述 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
状态 DISCONTINUED CONSULT MFR TRANSFERRED
二极管类型 信号二极管 整流二极管 信号二极管
端子数量 1 - 2
元件数量 1 - 1
加工封装描述 DIE-2 - 塑料, DO-41, 2 PIN
包装形状 SQUARE -
包装尺寸 UNCASED 芯片 - LONG FORM
端子形式 NO 铅 - 线
端子位置 UPPER - AXIAL
包装材料 UNSPECIFIED - 塑料/环氧树脂
工艺 SCHOTTKY - SCHOTTKY
结构 单一的 - 单一的
壳体连接 隔离 - 隔离
二极管元件材料 -
最大重复峰值反向电压 45 V - 30 V
最大平均正向电流 1 A - 1 A

 
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