1N5819: 产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小201KB，共2页; 制造商DCCOM [ DC COMPONENTS ]

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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5819规格参数

参数名称	属性值
端子数量	1
元件数量	1
加工封装描述	DIE-2
状态	DISCONTINUED
包装形状	SQUARE
包装尺寸	UNCASED 芯片
表面贴装	Yes
端子形式	NO 铅
端子涂层	锡铅
端子位置	UPPER
包装材料	UNSPECIFIED
工艺	SCHOTTKY
结构	单一的
壳体连接	隔离
二极管元件材料	硅
二极管类型	信号二极管
最大重复峰值反向电压	45 V
最大平均正向电流	1 A

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DC COMPONENTS CO., LTD.

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1N5819相似产品对比

	1N5819	1N5817	1N5818
描述	1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE	RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41	1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
状态	DISCONTINUED	CONSULT MFR	TRANSFERRED
二极管类型	信号二极管	整流二极管	信号二极管
端子数量	1	-	2
元件数量	1	-	1
加工封装描述	DIE-2	-	塑料, DO-41, 2 PIN
包装形状	SQUARE	-	圆
包装尺寸	UNCASED 芯片	-	LONG FORM
端子形式	NO 铅	-	线
端子位置	UPPER	-	AXIAL
包装材料	UNSPECIFIED	-	塑料/环氧树脂
工艺	SCHOTTKY	-	SCHOTTKY
结构	单一的	-	单一的
壳体连接	隔离	-	隔离
二极管元件材料	硅	-	硅
最大重复峰值反向电压	45 V	-	30 V
最大平均正向电流	1 A	-	1 A

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