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1N5819

产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小190KB,共2页
制造商Good-Ark
官网地址http://www.goodark.com/
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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5819规格参数

参数名称属性值
端子数量1
元件数量1
加工封装描述DIE-2
状态DISCONTINUED
包装形状SQUARE
包装尺寸UNCASED 芯片
表面贴装Yes
端子形式NO 铅
端子涂层锡 铅
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压45 V
最大平均正向电流1 A

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1N5817 THRU 1N5819
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage -
20 to 40 Volts
Forward Current -
1.0 Ampere
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Metal silicon junction, majority carrier conduction
Guardring for overvoltage protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low forward voltage drop
High surge capability
For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
High temperature soldering guaranteed:
250 /10 seconds, 0.375” (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension
Mechanical Data
Case:
DO-41 molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:
0.012 ounce, 0.33 gram
DIM
A
B
C
D
inches
Min.
0.165
0.079
0.028
1.000
DIM ENSIONS
mm
Max.
0.205
0.106
0.034
-
Min.
4.2
2.0
0.71
25.40
Max.
5.2
2.7
0.86
-
Note
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Symbols
1N5817
1N5818
1N5819
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum non-repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
L
=90
Peak forward surge current,
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method) at T
L
=70
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A (Note 1)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.1A (Note 1)
Maximum instantaneous reverse current T
A
=25 (Note1)
at rated DC blocking voltage
T
A
=100
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance (Note 2)
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
(AV)
I
FSM
V
F
V
F
I
R
C
J
R
R
JA
JL
20
14
20
24
30
21
30
36
1.0
25.0
40
28
40
48
Volts
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
0.450
0.750
0.550
0.875
1.0
10.0
110.0
50.0
15.0
-65 to +125
0.600
0.900
Volts
Volts
mA
F
/W
T
J
, T
STG
Notes:
(1) Pulse test: 300uS pulse width, 1% duty cycle
(2) Thermal resistance from junction to lead, and/or to ambient P.C.B. mounted with 0.375” (9.5mm) lead length with 1.5X1.5” (38X38mm) copper pads
(3) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
1
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