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1N5819

产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小35KB,共2页
制造商CDI-DIODE
官网地址http://www.cdi-diodes.com
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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5819规格参数

参数名称属性值
端子数量1
元件数量1
加工封装描述DIE-2
状态DISCONTINUED
包装形状SQUARE
包装尺寸UNCASED 芯片
表面贴装Yes
端子形式NO 铅
端子涂层锡 铅
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压45 V
最大平均正向电流1 A

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• 1N5819-1 AND 1N6761-1AVAILABLE IN
JAN,JANTX, JANTXV,
AND JANS
PER MIL-PRF-19500/586
• 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
• HERMETICALLY SEALED
• METALLURGICALLY BONDED
1N5819
and
DSB5817 and DSB5818
and
1N6759 thru 1N6761
and
DSB1A20 thru DSB1A100
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Average Rectified Forward Current: 1.0 AMP @TL +55°C, L = 3/8”
Derating: 14 mA / °C above TL = +55°C, L = 3/8”
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@
25°C, unless otherwise specified.
CDI
TYPE
NUMBER
WORKING PEAK
REVERSE
VOLTAGE
VRWM
VOLTS
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE CURRENT
AT RATED VOLTAGE
I R@25°C
mA
0.10
0.10
0.10
0.05
I R@100°C
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
VF@0.1A
VOLTS
0.36
0.36
0.36
0.34
VF@1.0A
VOLTS
0.60
0.60
0.60
0.49
VF@3.1A
VOLTS
0.9
0.9
0.9
0.8
DSB5817
DSB5818
1N5819
J,JX,JV & JS
5819-1
1N6759
1N6760
1N6761
J,JX,JV & JS
6761-1
DSB1A20
DSB1A30
DSB1A40
DSB1A50
DSB1A60
DSB1A80
DSB1A100
20
30
40
45
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed, DO – 41
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel
60
80
100
100
0.38
0.38
0.38
0.38
0.69
0.69
0.69
0.69
NA
NA
NA
NA
0.10
0.10
0.10
0.10
6.0
6.0
6.0
12.0
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC): 70
˚C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 12
˚C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
20
30
40
50
60
80
100
0.36
0.36
0.36
0.36
0.38
0.38
0.38
0.60
0.60
0.60
0.60
0.69
0.69
0.69
0.9
0.9
0.9
0.9
NA
NA
NA
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
5.0
5.0
5.0
5.0
12.0
12.0
12.0
MOUNTING POSITION:
Any
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
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