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1N5818M

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小59KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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1N5818M概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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1N5817M / 1N5818M / 1N5819M
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY
BARRIER RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
High Current Capability
Low Forward Voltage Drop
Guard Ring for Transient Protection
Glass Package for High Reliability
Packaged for Surface Mount Applications
C
A
B
Mechanical Data
·
·
·
·
·
Case: MELF, Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode band
Approx Weight: 0.25 gram
Mounting Position: Any
Dim
A
B
C
MELF
Min
4.80
2.40
Max
5.20
2.60
0.55 Nominal
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
@T
T
= 90°C (Note 1)
Maximum Forward Surge Current. Half Cycle @60Hz
Superimposed on rated load, JEDEC Method
Maximum Forward Voltage Drop
@ I
F
= 1.0A
@ I
F
= 3.0A
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
F
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
1N5817M
20
14
1N5818M
30
21
1.0
25
0.450
0.750
0.550
0.875
1.0
10
130
110
-60 to +125
0.600
0.900
1N5819M
40
28
Units
V
V
A
A
V
Maximum Reverse Leakage Current @ V
RRM
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Storage and Operating Temperature Range
Notes:
I
R
R
qJA
C
j
T
j
, T
STG
mA
K/W
pF
°C
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
2. Measured at V
R
= 4.0V, f = 1.0MHz.
DS13001 Rev. D-2
1 of 2
1N5817M/1N5818M/1N5819M

1N5818M相似产品对比

1N5818M 1N5817M 1N5819M
描述 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
新手编程遇到问题
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